三、研习目的

1.系统掌握半导T材料、元件及制程技术的理论基础。

2.探索新型半导T材料或奈米结构对晶T管效能与功耗的影响。

3.熟练半导T制程与分析方法，包括光刻、薄膜沉积、蚀刻及电X测试。

4.培养学术研究能力，能完成研习报告并具备论文撰写能力

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